GaN
氮化鎵（GaN）是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于寬禁帶半導(dǎo)體之列。氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力。
-
汽車電子趨勢：GaN進入快速導(dǎo)入階段
芝能智芯出品 在過去幾年，汽車功率半導(dǎo)體的話題幾乎被SiC占據(jù)。但從2025年前后開始，GaN在汽車領(lǐng)域的推進明顯提速，尤其集中在電源側(cè)。 根據(jù)英飛凌的《Automotive CoolGaN enab
-
第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC：國產(chǎn)應(yīng)用新布局
【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】截至目前，第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用已經(jīng)進入人們的日常工作和生活當中，特別是GaN和SiC。未來，除了PD快充和新能源汽車等熱門應(yīng)用市場，國產(chǎn)的GaN和SiC材料應(yīng)用將會有新的市場逐步出現(xiàn)
-
GaN 氮化鎵市場調(diào)查：2021 年增長率可達 90.6%
IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨詢近日發(fā)布了 GaN 氮化鎵市場調(diào)查報告。報告顯示，盡管 2018 年至 2020 年以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到貿(mào)易摩擦、疫情影響增長受到
換一批
