HBM
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趨勢(shì)丨HBM升級(jí)=HBF？高帶寬閃存如何破解AI算力的“內(nèi)存墻”
前言：當(dāng)AI大模型的參數(shù)規(guī)模邁向萬(wàn)億級(jí)，上下文窗口突破百萬(wàn)token，HBM（高帶寬內(nèi)存）雖快，但容量有限且成本高昂；NAND閃存雖大，但帶寬不足。在這個(gè)算力與存儲(chǔ)的斷層之間，一種名為HBF（高帶寬閃
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大模型日?qǐng)?bào)| 字節(jié)跳動(dòng)對(duì)多模態(tài)又有了新創(chuàng)意，HBM刻蝕需求爆發(fā)
01 重大發(fā)布（新模型/產(chǎn)品/開(kāi)源） ①阿里千問(wèn)開(kāi)源持續(xù)進(jìn)行中：Embedding與Reranker系列登場(chǎng) 阿里通義千問(wèn)團(tuán)隊(duì)于1月8日再度開(kāi)源兩款名為模型Qwen3-VL-Embedding和Qwe
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HBF、HMC等四大存儲(chǔ)，誰(shuí)能力敵HBM
HBM（高帶寬內(nèi)存）作為當(dāng)前AI加速器GPU的核心配置，憑借垂直堆疊的薄DRAM芯片結(jié)構(gòu)，以超高數(shù)據(jù)帶寬為AI訓(xùn)練與推理提供了關(guān)鍵支撐，成為AI算力爆發(fā)的重要基石。 然而，HBM存在兩大顯著短板：一是
存儲(chǔ) 2026-01-05 -
華為公布昇騰芯片三年計(jì)劃，自研HBM曝光
華為今天宣布，以后 AI 訓(xùn)練最缺的 “內(nèi)存” 它自己造，三年出四款新芯片，年年升級(jí)，2028 年給出最大驚喜。 9 月 18 日，上海全聯(lián)接大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍首次透露 “華為昇騰芯片”
華為 2025-09-19 -
新AI內(nèi)存：英偉達(dá)押注，比肩HBM
在算力需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的今天，存儲(chǔ)技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動(dòng)容器"到"主動(dòng)參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標(biāo)志著內(nèi)存模塊首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)計(jì)算需求的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過(guò)統(tǒng)一時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)?/p>
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美光：“過(guò)熱”的HBM，會(huì)從缺貨走向過(guò)剩嗎？
在對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行整體分析后，本文主要是具體測(cè)算HBM的供需關(guān)系以及相關(guān)公司的業(yè)績(jī)?cè)隽壳闆r。 通過(guò)對(duì)具體量的分析測(cè)算，海豚君對(duì)當(dāng)前HBM的供需情況有所擔(dān)憂(yōu)。當(dāng)前主流機(jī)構(gòu)普遍都認(rèn)為HBM的供不應(yīng)求局面仍將持續(xù)下去
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AI存儲(chǔ)：HBM抓著英偉達(dá)的命門(mén)
存儲(chǔ)行業(yè)在經(jīng)歷近2年的下滑后，價(jià)格端又迎來(lái)了上漲。存儲(chǔ)本身具有周期性，供需變化直接影響存儲(chǔ)芯片的價(jià)格走向。而本輪不同的是，在AIGC等新應(yīng)用的推動(dòng)下，存儲(chǔ)行業(yè)有望迎來(lái)“周期+成長(zhǎng)”的共振
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三星將推出人工智能處理能力的高帶寬存儲(chǔ)器HBM－PIM
目前HBM－PIM正在人工智能加速器內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，所有驗(yàn)證工作預(yù)計(jì)將在2021年上半年完成。
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